Название электронного компонента: CJD3055 Описание CJD3055: NPN Complementary silicon power transistor Производитель: CENTR Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер CJD3055 datasheet: 542Kb Скачать CJD3055 datasheet: CJD3055.PDF |