|
 |
Название электронного компонента: CJD31C Описание CJD31C: NPN Complementary silicon power transistor Производитель: CENTR Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер CJD31C datasheet: 505Kb Скачать CJD31C datasheet: CJD31C.PDF |