|
 |
Название электронного компонента: CJD45H11 Описание CJD45H11: PNP Complementary silicon power transistor Производитель: CENTR Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер CJD45H11 datasheet: 460Kb Скачать CJD45H11 datasheet: CJD45H11.PDF |