|
 |
Название электронного компонента: F1001 Описание F1001: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1001 datasheet: 37Kb Скачать F1001 datasheet: F1001.PDF |