|
 |
Название электронного компонента: F1001C Описание F1001C: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1001C datasheet: 33Kb Скачать F1001C datasheet: F1001C.PDF |