Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F1004 datasheet



datasheet for F1004 by   Название электронного компонента: F1004

Описание F1004: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F1004 datasheet: 37Kb

Скачать F1004 datasheet: F1004.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024