Название электронного компонента: F1004 Описание F1004: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1004 datasheet: 37Kb Скачать F1004 datasheet: F1004.PDF |