Название электронного компонента: F1005 Описание F1005: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1005 datasheet: 37Kb Скачать F1005 datasheet: F1005.PDF |