Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F1005 datasheet



datasheet for F1005 by   Название электронного компонента: F1005

Описание F1005: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F1005 datasheet: 37Kb

Скачать F1005 datasheet: F1005.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024