Название электронного компонента: F1006 Описание F1006: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1006 datasheet: 37Kb Скачать F1006 datasheet: F1006.PDF |