Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F1008 datasheet



datasheet for F1008 by   Название электронного компонента: F1008

Описание F1008: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F1008 datasheet: 38Kb

Скачать F1008 datasheet: F1008.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024