Название электронного компонента: F1012 Описание F1012: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1012 datasheet: 38Kb Скачать F1012 datasheet: F1012.PDF |