|
 |
Название электронного компонента: F1016 Описание F1016: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1016 datasheet: 41Kb Скачать F1016 datasheet: F1016.PDF |