Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F1021 datasheet



datasheet for F1021 by   Название электронного компонента: F1021

Описание F1021: 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F1021 datasheet: 38Kb

Скачать F1021 datasheet: F1021.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024