Название электронного компонента: F1027 Описание F1027: 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1027 datasheet: 40Kb Скачать F1027 datasheet: F1027.PDF |