Название электронного компонента: F1040 Описание F1040: 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1040 datasheet: 32Kb Скачать F1040 datasheet: F1040.PDF |