Название электронного компонента: F1063 Описание F1063: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1063 datasheet: 32Kb Скачать F1063 datasheet: F1063.PDF |