|
 |
Название электронного компонента: F1065 Описание F1065: 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1065 datasheet: 36Kb Скачать F1065 datasheet: F1065.PDF |