|
 |
Название электронного компонента: F1066 Описание F1066: 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1066 datasheet: 39Kb Скачать F1066 datasheet: F1066.PDF |