Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F1069 datasheet



datasheet for F1069 by   Название электронного компонента: F1069

Описание F1069: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F1069 datasheet: 36Kb

Скачать F1069 datasheet: F1069.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024