|
 |
Название электронного компонента: F1081 Описание F1081: 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1081 datasheet: 40Kb Скачать F1081 datasheet: F1081.PDF |