Название электронного компонента: F1107 Описание F1107: 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1107 datasheet: 39Kb Скачать F1107 datasheet: F1107.PDF |