|
 |
Название электронного компонента: F1116 Описание F1116: 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1116 datasheet: 42Kb Скачать F1116 datasheet: F1116.PDF |