|
 |
Название электронного компонента: F1207 Описание F1207: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1207 datasheet: 37Kb Скачать F1207 datasheet: F1207.PDF |