|
 |
Название электронного компонента: F1209 Описание F1209: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1209 datasheet: 36Kb Скачать F1209 datasheet: F1209.PDF |