|
 |
Название электронного компонента: F1214 Описание F1214: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1214 datasheet: 35Kb Скачать F1214 datasheet: F1214.PDF |