Название электронного компонента: F1221 Описание F1221: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1221 datasheet: 37Kb Скачать F1221 datasheet: F1221.PDF |