|
 |
Название электронного компонента: F1260 Описание F1260: 60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1260 datasheet: 38Kb Скачать F1260 datasheet: F1260.PDF |