|
 |
Название электронного компонента: F1280 Описание F1280: 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1280 datasheet: 39Kb Скачать F1280 datasheet: F1280.PDF |