Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F1401 datasheet



datasheet for F1401 by   Название электронного компонента: F1401

Описание F1401: 35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F1401 datasheet: 42Kb

Скачать F1401 datasheet: F1401.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024