Название электронного компонента: F1401 Описание F1401: 35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1401 datasheet: 42Kb Скачать F1401 datasheet: F1401.PDF |