Название электронного компонента: F1410 Описание F1410: 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1410 datasheet: 36Kb Скачать F1410 datasheet: F1410.PDF |