Название электронного компонента: F1510 Описание F1510: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1510 datasheet: 36Kb Скачать F1510 datasheet: F1510.PDF |