Название электронного компонента: F1535 Описание F1535: 35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F1535 datasheet: 36Kb Скачать F1535 datasheet: F1535.PDF |