|
 |
Название электронного компонента: F2002 Описание F2002: 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2002 datasheet: 37Kb Скачать F2002 datasheet: F2002.PDF |