Название электронного компонента: F2004 Описание F2004: 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2004 datasheet: 37Kb Скачать F2004 datasheet: F2004.PDF |