|
 |
Название электронного компонента: F2012 Описание F2012: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2012 datasheet: 37Kb Скачать F2012 datasheet: F2012.PDF |