|
 |
Название электронного компонента: F2013 Описание F2013: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2013 datasheet: 38Kb Скачать F2013 datasheet: F2013.PDF |