Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F2021 datasheet



datasheet for F2021 by   Название электронного компонента: F2021

Описание F2021: 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F2021 datasheet: 37Kb

Скачать F2021 datasheet: F2021.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024