Название электронного компонента: F2047 Описание F2047: 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2047 datasheet: 36Kb Скачать F2047 datasheet: F2047.PDF |