Название электронного компонента: F2049 Описание F2049: 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2049 datasheet: 35Kb Скачать F2049 datasheet: F2049.PDF |