Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F2201 datasheet



datasheet for F2201 by   Название электронного компонента: F2201

Описание F2201: 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F2201 datasheet: 35Kb

Скачать F2201 datasheet: F2201.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024