Название электронного компонента: F2201 Описание F2201: 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2201 datasheet: 35Kb Скачать F2201 datasheet: F2201.PDF |