Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F2213 datasheet



datasheet for F2213 by   Название электронного компонента: F2213

Описание F2213: 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F2213 datasheet: 36Kb

Скачать F2213 datasheet: F2213.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024