Название электронного компонента: F2213 Описание F2213: 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2213 datasheet: 36Kb Скачать F2213 datasheet: F2213.PDF |