|
 |
Название электронного компонента: F2246 Описание F2246: 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2246 datasheet: 33Kb Скачать F2246 datasheet: F2246.PDF |