Название электронного компонента: F2247 Описание F2247: 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2247 datasheet: 33Kb Скачать F2247 datasheet: F2247.PDF |