Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

F2247 datasheet



datasheet for F2247 by   Название электронного компонента: F2247

Описание F2247: 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Производитель: POFET

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер F2247 datasheet: 33Kb

Скачать F2247 datasheet: F2247.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024