|
 |
Название электронного компонента: F2248 Описание F2248: 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер F2248 datasheet: 35Kb Скачать F2248 datasheet: F2248.PDF |