|
 |
Название электронного компонента: L125 Описание L125: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L125 datasheet: 38Kb Скачать L125 datasheet: L125.PDF |