Название электронного компонента: L225 Описание L225: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L225 datasheet: 38Kb Скачать L225 datasheet: L225.PDF |