|
 |
Название электронного компонента: L2711 Описание L2711: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L2711 datasheet: 40Kb Скачать L2711 datasheet: L2711.PDF |