|
 |
Название электронного компонента: L2821 Описание L2821: 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L2821 datasheet: 42Kb Скачать L2821 datasheet: L2821.PDF |