|
 |
Название электронного компонента: L8701P Описание L8701P: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L8701P datasheet: 42Kb Скачать L8701P datasheet: L8701P.PDF |