Название электронного компонента: L8711P Описание L8711P: 7 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L8711P datasheet: 40Kb Скачать L8711P datasheet: L8711P.PDF |