|
 |
Название электронного компонента: L8721P Описание L8721P: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor Производитель: POFET Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SO-8 (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер L8721P datasheet: 40Kb Скачать L8721P datasheet: L8721P.PDF |